2-氨基-3-氰基噻吩，通常简称为ACT，是一种重要的有机半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。其中，它的升华温度是一个重要的物理性质，决定了其在半导体器件制备中的应用范围。

ACT的升华温度是指在标准大气压下，将固体ACT加热到足够高的温度，使其从固态直接转变为气态的温度。实验表明，ACT的升华温度约为350℃左右。在半导体器件制备过程中，需要将ACT加热到升华温度以上，使其升华成气态，然后在衬底表面形成薄膜。

ACT的升华温度受多种因素的影响，包括其分子结构、晶体形态、化学纯度等。一般来说，ACT的分子结构越紧密、晶体形态越规则，其升华温度就越高。此外，ACT的化学纯度也会影响其升华温度，高纯度的ACT通常具有更高的升华温度。

总的来说，ACT的升华温度是其在半导体器件制备中一个非常重要的物理性质。了解其升华温度对于优化制备工艺、提高器件性能具有重要的意义。